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  • 商品名稱: 無壓燒結碳化硅
  • 商品編號: 101
  • 上架時間: 2012-09-12
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無壓燒結碳化硅(SSiC)

    無壓燒結碳化硅是通過無壓燒結亞微米碳化硅粉末在2100℃真空燒結爐燒結而成。由于其單相細晶結構在高溫下也能保持高強度,SSiC產品高純度和高密度使其具有很強的抗腐蝕性,其出色的表面光潔度特性使其非常適合應用在機械密封面、閥、軸承和石油、化工、航天、汽車等領域。

 

 

 

特點

無壓燒結碳化硅材料經過腐蝕后,在200X光學顯微鏡下的晶相圖,顯示晶體的分布、大小均勻,最大的晶體不超過10μm。

無壓燒結碳化硅材料技術參數

Sintered Silicon Carbide Technical Data

項目

Operating Limits

單位

Units

SSiC
體積密度

Volume Density

g/cm³ 3.08~3.15

維氏硬度

Vickers Hardness

HV0.5 2200

洛氏硬度

Rockwell Hardness

HRA 92
顯氣孔率

Indicated Parosity

% <0.2
抗壓強度

Compressive Strength

Mpa 2200
彎曲強度

Transverse Strength

Mpa 400
彈性模量

Elastic Modulus

Gpa 400
導熱系數

Thermal Conductivity

W/m*k 30~130
最高使用溫度

Maximum Temperature

1600
線熱膨脹系數

Coefficient Of Heat Expansion

10-6*1/℃ 4.0-5.0
表面氣孔率

Porosity

個/5c㎡ ≤5
粒徑大小(平均)

Size Of Particle Size

μm ≤10
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