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  • 商品名稱: 無壓燒結碳化硅加碳
  • 商品編號: 103
  • 上架時間: 2012-09-13
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無壓燒結碳化硅加碳(SSiC+C)

    無壓燒結碳化硅加碳材料是有Si-C強共價鍵構成的原子晶體和柔性碳在2100℃真空燒結爐燒結而成。無壓燒結碳化硅加碳具有原來無壓碳化硅材料耐強腐蝕性、耐磨性、高導電性、高溫穩定性等性能,而且加入碳后增加了自潤滑性和降低摩擦系數,更適用于瞬間干摩擦和長期半干摩擦的工況條件下,在新能源、化工、船舶及科研國防軍事技術等領域應用。

 

 

 

特點

無壓燒結碳化硅加碳材料晶體相圖,在材料平整光滑的斷切面經過化學處理,在200X光學顯微鏡下的晶體和碳(含量5-10%)的分布均勻,大小均勻,結合致密。

無壓燒結碳化硅加碳材料技術參數

Sintered Silicon Carbide+Graphite Technical Data

項目

Operating Limits

單位

Units

SSiC+C

體積密度

Volume Density

g/cm³ 2.95~3.05

洛氏硬度

Rockwell hardness

HRA 90

顯氣孔率

Indicated Parosity

% <0.2

抗壓強度

Compressive Strength

Mpa 1500

抗拆強度

Flexural Strength

Mpa 250

碳化硅原料純度

Purity(SIC Percentage)

% 99

彈性模量

Elastic Modulus

GPa 300

導熱系數

Thermal Conductivity

W/mK 120

最高使用溫度

Maximum Temperature

1500

熱膨脹系數

Coefficient Of Heat Expansion

10 -61/℃ 3.0

柔性碳

Graphite

5~10
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